國(guó)產(chǎn)替代依舊是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展的最大因素：面臨波蕩起伏的國(guó)際局 勢(shì)，自主可控已經(jīng)成為了維護(hù)國(guó)家戰(zhàn)略安全的重要領(lǐng)域，半導(dǎo)體則是 這個(gè)領(lǐng)域的最前端。先進(jìn)制程的半導(dǎo)體則是被遏制的重災(zāi)區(qū)，主要方 式是通過(guò)控制先進(jìn)制程需要的設(shè)備材料，因此，半導(dǎo)體設(shè)備材料是我 國(guó)未來(lái)幾年內(nèi)科技攻關(guān)最為強(qiáng)力的突破口，國(guó)產(chǎn)化替代的意愿大幅度 提升，測(cè)試配合度增加，驗(yàn)證周期有望縮短。晶圓制造代工和封裝測(cè) 試的國(guó)產(chǎn)化設(shè)備材料一旦取得技術(shù)方面的突破，出貨速度有可能會(huì)超 出大部分人的預(yù)期。目前國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高的是后道測(cè)試機(jī)、清洗機(jī) 等，如刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜制備等高端產(chǎn)品逐步驗(yàn)證。

■新能源需求驅(qū)動(dòng)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方興未艾：在光伏平價(jià)上網(wǎng)周期到 來(lái)和新能源汽車的快速推廣需求驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體在未來(lái)幾年內(nèi)將 保持較高的景氣程度。2020 年需求疊加海外疫情的影響，無(wú)論是 8 寸 晶圓代工廠還是 MOSFET/功率二極管和晶閘管等器件廠，都出現(xiàn)了產(chǎn) 能利用率高企甚至漲價(jià)的現(xiàn)象，考慮到較長(zhǎng)的擴(kuò)產(chǎn)周期和器件的迭代 發(fā)展，景氣度仍將保持相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。產(chǎn)品創(chuàng)新層面，SiC、GaN 等第三代化合物半導(dǎo)體以及國(guó)產(chǎn) IGBT 行業(yè)快速發(fā)展，滲透率不斷提 升。功率半導(dǎo)體對(duì)于先進(jìn)制程的要求相對(duì)較低，更多是需要掌握工藝 上面的 know-how，考慮到我國(guó)豐富的工程師資源和政策資本市場(chǎng)支持 力度，有出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)彎道超車的可能性。